Описание:

modname = ckeditor

тип 1: 4-инчов 100-нм оксидный слой (high лист)

тип 2: 4-инчов 200-нм оксидный слой (high лист)

тип 3: 4-инчов слой на азотен 285 нм (high лист)

тип 4: 4-инчов слой на азотен 300 нм (high лист)

тип5: 4-инчов оксидный слой 500 нм (high лист)

тип6: 4-инчов оксидный слой сверхтонкой дебелина 1000 нм

тип7: 6-инчов оксидная табела (допълнителна дебелина оксидного слой)

тип8: 2-инчов оксидная табела (допълнителна дебелина оксидирования)

тип9: силиконовата плоча от слой на азотен 10 * 10 мм

тип10: 4-инчов еднопосочна полиран силиконовата плоча

тип11: 4-инчов едностранно полиране най-високо качество

тип12: ультратонкое окисляването на 20-500 нм допълнително

тип13: 4-инчов ультратонкое окисляването на 2000 нм

тип 14: 4-инчов сверхтолщенное окисляването на 3000нм

Що се отнася до фактури, ако клиентът трябва да изложи фактура, моля, обърнете внимание на единицата за измерване сметки и данъчен номер Наименование на продукта 4-инчов процес на термично окисление оксидный слой на силициеви пластини Режим на отглеждане монокристалла Чохральского (CZ) Диаметър и допускане

50,8 мм, 100 мм, 150 мм - ± 0,1 mm Тип на употребата на допинг на N-тип (легирана с фосфор, арсен, сурьмой) Ориентация на кристала P-тип (легирана с бор) \ \ Притискане на съпротива Ниско съпротивление 0.001-0.005 0.01-0.02 Средна устойчивост на 1-5 1-10 10-20 Висока устойчивост > 10000 (С * см) 400 опции параметри на Плоскостта на технологични данни (TIR: 0,3 м) Начин на опаковане Вакуумни опаковки от изключително чист колаген алуминиево фолио по 10 броя и 25 парчета В присъствието на 200 параметри на опис, дебелина оксидного слой от 100 нм, 200 нм, 285 нм, 300 нм, 500 нм, 1000 нм, 2000 нм Въведение в използването на

Използва се за нанасяне на PVD/CVD покритие като субстрат, отглеждане на проба магнетронным със спрей, рентгенови лъчи, радиация, на основата на технологичната схема, литография, атомно-силов

Инфрачервен спектър, спектър на флуоресценция и други субстрати за анализ и тестване, субстрати, отглеждани по метода на молекулярно-лъчева эпитаксии и кристали за полупроводници за ренгенова кристалография

• Тип - Други
• Произход - Континентален Китай